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2025-07-05 00:22:25
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因此，电设为了在AM钛合金中获得细小的等轴β晶粒，必须充分注意避免β晶粒的热影响粗化，特别是对于包含大量热量累积的大型零件的高效率沉积。基于实验测量，发展图2给出了不同工艺条件下的D0、D、m和h。
显然，阶段技术及市h（25℃：344~1160μm和800℃：646~4162μm）要比层厚大很多。因此，门槛在AM钛合金中非常渴望获得几十微米的类似锻件的细等轴β晶粒。配用所有基材的D0均为56~91微米。
同时，电设提出了一个用于预测AM钛合金粗化的β-晶粒大小的修正模型。该组织由四个区域组成：发展原始基材、微-HAZ（以粗化的α相为特征）、β-HAZ（以明显粗化的β晶粒为特征）和沉积层。
阶段技术及市代表粗化的β晶粒厚度的β-HAZ高度h分别为597μm和1942μm。
在初始β-晶粒较小、门槛激光能量密度较大和预热温度较高的情况下，晶粒粗化更加严重。此外，配用聚电解质水凝胶膜功能的良好可调性可系统地理解可控离子扩散机理及其对整体膜性能的影响。
文献链接：电设https://doi.org/10.1002/anie.2020063202、电设NatureCommun：三维水凝胶界面膜来实现渗透能的高效转化中科院理化所江雷院士和闻利平研究员等人通过将带电荷的聚电解质水凝胶涂覆到ANF膜上制备的新设计的异质膜中观察到了高性能的渗透能转换。O活性位点的活性不仅可以通过用其他TM原子代替最接近的原子（Ti）来调节，发展而且可以通过在其第二最接近的位点产生O空位来调节。
阶段技术及市2016年当选为美国国家工程院外籍院士。1995年获中国驻日大使馆教育处优秀留学人员称号，门槛同年获国家杰出青年科学基金资助。